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École thématique CNRS – "Avenir Grand Gap"

 

 Troyes – du 17 au 20 mai 2021

Intervenant.e.s

Croissance et élaboration

Gabriel Ferro
LMI Lyon
Homo et hétéro-épitaxy du carbure de silicium
Alexandre Tallaire
IRCP Paris
Croissance diamant par CVD et incorporation de centres colorés
Didier Chaussende
SIMAP Grenoble
Les procédés de croissance des cristaux massifs de grand gaps
Ekaterine
Chikoidze
GEMAC Versailles
Gallium Oxide's  outstanding potential for Energy Electronics
Dave Rogers
Nanovation
Ga2O3: Le Nouvel Arrivant sur la Scène des Semiconducteurs UWBG
Ougazzaden Abdallah

Georgia Tech–CNRS

Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride: applications and perspectives

 

 

Hétérostructures

Christian Brylinski
LMI Lyon
Hétérojonctions à matériaux grand-gap: dispositifs, enjeux et perspectives
Eric Guiot
 SOITEC Bernin
 Layer transfer of wide band gap materials: technology and
 applications

 

 

MEMS

Daniel Alquier
GREMAN Tours
Technologie MEMS et NEMS grand-gaps

 

 

Dispositifs de puissance

Etienne Gheeraert
NEEL Grenoble
Dispositifs de puissance diamant – approche matériau
Nicolas Rouger
LAPLACE Toulouse
Dispositifs de puissance diamant – approche système
Karine Isoird
LAAS Toulouse
Les WBG pour la puissance
Hervé Morel
AMPERE Lyon
Composants WBG: quels impacts sur la commutation
Bertrand Vergne
ISL Saint-Louis
Enjeux liés à la caractérisation des composants à grand gap

 

 

Packaging

Marie-Laure Locatelli
LAPLACE Toulouse
Les matériaux diélectriques isolants au sein des dispositifs de puissance à semi-conducteur grand-gaps.

 

 

Capteurs

Yamin Leprince
ESYCOM Paris
Nanostructures de ZnO pour le développement de routes dépolluantes photocatalytiques
Lionel Rousseau
ESIEE Paris
Applications du diamant aux interfaces Neuronales, enjeux et perspectives
Laurent Ottaviani
IM2NP Marseille
Détecteurs de neutrons à base de SiC pour environnement nucléaire
Konstantinos Zekentes
IMEP-LAHC Grenoble
Technologie SiC pour le bio-médical
Yacine Halfaya
GT Lorraine
AlGaN/GaN HEMT based gas sensors for extreme conditions

 

 

Technologie quantique

Vincent Jacques
L2C Montpellier
Applications des défauts ponctuels dans les matériaux à grand gap pour les technologies quantiques
Jean-Marie Bluet
INL Lyon
Ingénierie des centres colorés dans SiC pour la photonique et la solotronique
Jérôme Tribollet
Institut Chimie de Strasbourg
Implantation ionique et Résonance Paramagnétique Electronique : des outils clés pour les technologies quantiques

 

 

Photonique

Ali Belarouci
INL Lyon
Micro-nanophotonique sur la plateforme SiC
Gilles Lerondel
L2n Troyes
Photonique UV à base de ZnO, structuration avancée et intégration matériaux 2D
Aurélien Bruyant
L2n Troyes
Nanospectroscopie IR –opportunités pour les matériaux grand-gaps

 

 

Fiabilité

Frédéric Richardeau
LAPLACE Toulouse
Robustesse du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit
Tanguy Phulpin
GeePs Paris
Défaillance ESD dans composants SiC et GaN

 

 

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